IV族半導体結晶薄膜の低温形成へのアプローチ
専門・研究テーマ・キーワード
半導体プロセス、半導体材料
IV族半導体材料の低温形成プロセスに関する研究
研究の取り組み内容
柔軟性に富んだ基板上に、高移動度トラジスタ等を集積した革新的なデバイスを創成するために、
プラスチック、樹脂等の低融点絶緑基坂上に高品質な半導体結晶150℃以下の低温で形成する技術が必要になります。
我々は低温形成の鍵が金属誘起結晶化技術にあると考え研究に取り組んでいます。
当日はIV族半導体結晶薄膜の低温形成へのアプローチについて報告致します。
講師
角田 功 氏
熊本高等専門学校
情報通信エレクトロニクス工学科
准教授
企業、ご参加の皆様へ
熊本高専・熊本キャンパスには様々な電子材料薄膜を作製できるクリーンルームと、
それらの電気的・光学的・結晶学的特性を高精度に評価する各種測定装置を備えています。
これらの設備を用い、高専学生への実践的な教育、並びに高専・大学・企業間の共同研究を遂行しています。
装置のご使用等はお気軽にご相談ください。
申込方法
氏名、会社名、連絡先（電話・メール・FAX）を
メール又は、FAXで3月25日（水）までに下記へお申込み下さい。
※懇親会は有料です。（1500円程度を予定）
メール ： aoyama.koichi@city.kumamoto.kumamoto.jp
TEL ： 096-328-2950
FAX ： 096-324-7004
※担当青山までまでお気軽にお電話でもお問い合わせいただければ幸いです。
主催
熊本市（産業振興課）
後援
独立行政法人中小企業基盤整備機構
九州本部
